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SiC MOSFETで実現する ±1.5kV超高電圧スイッチング・アンプの設計技術

±1kVを超える高圧バイポーラ・アンプは、理化学機器や産業用途で広く用いられてきましたが、多くはリニア方式で構成されてきました。
本セッションでは、SiC MOSFETを用いて最大約±1.5kVのバイポーラ・アンプをD級構成で実現する設計アプローチを紹介します。
高耐圧・高速動作という特性を活かし、絶縁ドライバと組み合わせることで500kHz超のスイッチングにも対応可能であることを示します。
Si MOSFETでは確保が難しかった設計マージンも、高耐圧性能によりスパイク電圧やキックバックに対して余裕を持たせることが可能です。低発熱化による小型化や密閉構造への展開可能性にも触れ、設計上の選択肢を整理します。

講師紹介

株式会社ディスクリテック
善養寺薫

沼津工業高等専門学校 卒。FA機器／ハード・ディスク製造装置設計業務に従事し、その後ベンチャーにて半導体製造装置、医科学用電子顕微鏡、理化学機器などの回路設計開発に携わる。独立後、株式会社ディスクリテックを設立。