本資料を通して、下記のことが分かります。

• 1. シリコンカーバイドとは
  • ① SiC の物性と特徴
  • ② SiC パワーデバイスの特徴
• 2. SiC パワーデバイスの開発背景とメリット
  • ① SiC パワーデバイスの開発背景
  • ② SiC パワーデバイスがもたらすメリット
• 3. SiC ショットキーバリアダイオードとは
  • ① SiC SBD の特徴と Si SBDとの比較
  • ② SiC SBDとSiPN 接合ダイオードとの比較
  • ③ SiC SBD の逆回復特性
  • ④ SiC SBD の順方向電圧特性
  • ⑤ trr と VF による損失に関する考察
  • ⑥ SiC SBD の進化
  • ⑦ SiC SBD を使うメリット
  • ⑧ SiC SBD の信頼性
• 4. SiC MOSFET とは
  • ① SiC MOSFETの特徴
  • ② 各種パワートランジスタの構造と特徴の比較
  • ③ Si MOSFET との違い
  • ④ IGBT との違い
  • ⑤ SiC MOSFETのボディダイオード特性
  • ⑥ トレンチ構造 SiC MOSFET
  • ⑦ SiC MOSFETの信頼性
• 5. フル SiC パワーモジュールとは
  • ① フル SiC パワーモジュールのスイッチング損失
  • ② 活用のポイント ゲートドライブ
  • ③ 活用のポイント スナバコンデンサ
  • ④ 活用のポイント: 専用ゲートドライバーとスナバモジュール
  • ⑤ サポートツール フルSiC モジュール損失シミュレータ
• まとめ