省エネルギーはすべてのアプリケーションの必須要件となり、
特に電源を中心とするパワーアプリケーションでは、
効率の向上と小型のためのデバイス開発と回路開発に余念がありません。
このような環境下で、ダイオードやトランジスタなどのディスクリートパワーデバイスも日々進化を続けており、
従来からのSi:シリコンパワーデバイスに加え、SiC:シリコンカーバイトのデバイスもそろい始めました。
ロームは、パワーアプリケーション向けのディスクリート製品を幅広く開発しており、
SiCに関しては先駆者的存在です。
今回は、パワーエレクトロニクスに携わる設計者の方々向けに、その知識とノウハウ、
そして実績をもとにしたセミナーを企画しました。
ぜひこの機会にパワーデバイスに関する理解を深め、製品開発や設計に役立ていただければと思います。


パワーデバイス活用セミナー開催概要

開催日程 2015年6月26日(金)13:00~16:45(受付12:30~)
開催場所 ローム株式会社 横浜テクノロジーセンター 横浜市港区新横浜2-4-8 ローム新横浜駅前ビル会場地図はこちら
講義内容 『Si:シリコンパワーデバイスの特徴を生かしたアプリケーション事例』
『SiC:シリコンカーバイトパワーデバイスの理解と活用事例』
講師 ローム エンジニア
参加費用 無料

セミナープログラム

■第一部

『Si:シリコンパワーデバイスの特徴を生かしたアプリケーション事例』

ダイオード、MOSFET、IGBTなどに代表されるSi:シリコンパワーデバイスは、
現在のパワーアプリケーションの主役です。Siパワーデバイスはその長い歴史の中で、
アプリケーションが個別に必要とする性能を高め、用途の合わせて最適化されてきました。
このセミナーでは、Siパワーデバイスの分類とその特徴を確認し、アプリケーションが
達成したい性能を実現するためのSiパワーデバイスの選択ポイントと、
アプリケーション事例を説明します。


内容
  • 1.Siダイオードの分類、特性
  • 2.整流ダイオードの特性比較
  • 3.ショットキダイオードの種類と特性
  • 4.ファストリカバリダイオードの種類と特徴
  • 5.Siトランジスタの分類、特性、比較
  • 6.高耐圧MOSFEET
  • 7.特徴を生かした応用回路例(AC/DC、PFC、フライバックコンバータ他)

第二部

『SiC:シリコンカーバイトパワーデバイスの理解と活用事例』

SiC:シリコンカーバイトパワーデバイスは、シリコンパワーデバイスの限界を超えた低抵抗、
高速動作、高温動作を実現したことで、革新的な電力密度を達成し、大電力パワーアプリケーション
の小型化や簡素化が期待されています。その活用のためには、SiCパワーデバイスの特性と特徴、
使い方を理解する必要があります。このセミナーでは、SiCパワーデバイスの理解を深めるとともに、
SiCパワーデバイスの活用例を提案することで、受講者の皆様の将来に向けた新パワーソリューション
開発のスターティングポイントになることを意図しています。


内容
  • 1.SiC:シリコンカーバイトと、そのメリット
  • 2.SiCダイオードの特性と特徴、Siダイオードとの比較、使い方
  • 3.SiC MOSFETの特性と特徴、Si MOSFETとの比較、使い方
  • 4.SiCモジュールの性能と特徴および活用例と展望、他

休憩時間やセミナー終了後には、技術相談コーナーもご用意しておりますのでお気軽にご質問、ご相談ください。

  • 服装自由
  • 都合により、プログラムの内容の一部が変更になることがあります。
  • 応募者多数の場合はご応募を締め切らせていただき、抽選とさせていただきます。
    席に限りがございますため、予めご了承下さい。
    お申込み完了自動メールでは、ご参加はまだ確定しておりません。
    ご参加確定のご連絡は別途お送りさせていただきます。
  • 半導体メーカーの方は、お断りいたします。
  • 参加確定のメールを受け取られていない方が、当日会場に来られた場合はご入場をお断りさせていただきます。

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セミナー情報

開催日時:2015年6月26日(金)13:00~16:45(受付12:30~)
開催場所:横浜市港区新横浜2-4-8 ローム新横浜駅前ビル

パワーデバイス活用セミナー

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