省エネルギーはすべてのアプリケーションの必須要件となり、
特に電源を中心とするパワーアプリケーションでは、
効率の向上と小型のためのデバイス開発と回路開発に余念がありません。
このような環境下で、ダイオードやトランジスタなどのディスクリートパワーデバイスも日々進化を続けており、
従来からのSi:シリコンパワーデバイスに加え、SiC:シリコンカーバイドのデバイスもそろい始めました。
ロームは、パワーアプリケーション向けのディスクリート製品を幅広く開発しており、
SiCに関しては先駆者的存在です。
今回は、パワーエレクトロニクスに携わる設計者の方々向けに、その知識とノウハウ、
そして実績をもとにしたセミナーを企画しました。
ぜひこの機会にパワーデバイスに関する理解を深め、製品開発や設計に役立ていただければと思います。
開催日程 | 2016年6月17日(金)13:00~16:45(12:30受付開始) |
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開催場所 | ローム株式会社 京都駅前ビル
京都市下京区塩小路通烏丸西入東塩小路町579-32会場地図はこちら |
講義内容 | 『Si:シリコンパワーデバイスの特徴を生かしたアプリケーション事例』
『SiC:シリコンカーバイドパワーデバイスの理解と活用事例』 |
講師 | ローム エンジニア |
参加費用 | 無料 |
『Si:シリコンパワーデバイスの特徴を生かしたアプリケーション事例』
ダイオード、MOSFET、IGBTなどに代表されるSi:シリコンパワーデバイスは、
現在のパワーアプリケーションの主役です。Siパワーデバイスはその長い歴史の中で、
アプリケーションが個別に必要とする性能を高め、用途の合わせて最適化されてきました。
このセミナーでは、Siパワーデバイスの分類とその特徴を確認し、アプリケーションが
達成したい性能を実現するためのSiパワーデバイスの選択ポイントと、
アプリケーション事例を説明します。
内容 |
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ロームのSiC製品はMOSFETとSBDという基本的な回路部品ですが、
データシートを詳しく見ていくと、Siデバイスには無い特徴がいろいろあります。
そのSiCデバイスを使いこなし、アプリケーションの高性能化を実現するには様々な工夫が必要となります。
特性の相違による回路動作への影響、または寄生成分の影響を把握することが重要です。
SiCデバイスの優位性は理解しているがいまいち実感できていない、
なぜかよく壊れる、Siだと問題なく動作したのに、といった悩みをお持ちの方へ、
SiCを扱う上での基本的な考え方を示します。
内容 |
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休憩時間やセミナー終了後には、技術相談コーナーもご用意しておりますのでお気軽にご質問、ご相談ください。
セミナー開催のお知らせ
開催日時:2016年6月17日(金)13:00~16:45(12:30受付開始)
開催場所:京都市下京区塩小路通烏丸西入東塩小路町579-32 ローム京都駅前ビル
パワーデバイス活用セミナー
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