省エネルギーはすべてのアプリケーションの必須要件となり、
特に電源を中心とするパワーアプリケーションでは、
効率の向上と小型のためのデバイス開発と回路開発に余念がありません。
このような環境下で、ダイオードやトランジスタなどのディスクリートパワーデバイスも日々進化を続けており、
従来からのSi:シリコンパワーデバイスに加え、SiC:シリコンカーバイドのデバイスもそろい始めました。
ロームは、パワーアプリケーション向けのディスクリート製品を幅広く開発しており、
SiCに関しては先駆者的存在です。
今回は、パワーエレクトロニクスに携わる設計者の方々向けに、その知識とノウハウ、
そして実績をもとにしたセミナーを企画しました。
ぜひこの機会にパワーデバイスに関する理解を深め、製品開発や設計に役立ていただければと思います。
開催日程 | 2016年9月30日(金)13:00~16:45(受付12:30~) |
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開催場所 | 横浜市港区新横浜2-4-8 ローム新横浜駅前ビル 横浜テクノロジーセンター会場地図はこちら |
講義内容 | 『Si:シリコンパワーデバイスの特徴を生かしたアプリケーション事例』
『SiC:パワーデバイスの動作特性と活用上の勘どころ』 |
講師 | ローム エンジニア |
参加費用 | 無料 |
『Si:シリコンパワーデバイスの特徴を生かしたアプリケーション事例』
ダイオード、MOSFET、IGBTなどに代表されるSi:シリコンパワーデバイスは、
現在のパワーアプリケーションの主役です。Siパワーデバイスはその長い歴史の中で、
アプリケーションが個別に必要とする性能を高め、用途の合わせて最適化されてきました。
このセミナーでは、Siパワーデバイスの分類とその特徴を確認し、アプリケーションが
達成したい性能を実現するためのSiパワーデバイスの選択ポイントと、
アプリケーション事例を説明します。
内容 |
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『SiC:パワーデバイスの動作特性と活用上の勘どころ』
ロームのSiC製品はMOSFETとSBDという基本的な回路部品ですが、
データシートを詳しく見ていくと、Siデバイスには無い特徴がいろいろあります。
そのSiCデバイスを使いこなし、アプリケーションの高性能化を実現するには様々な工夫が必要となります。
特性の相違による回路動作への影響、または寄生成分の影響を把握し、
トレードオフをうまく調整しながら回路を設計していくことが重要です。
SiCデバイスを実際に使ってみたところ、前評判どおりの優位性を実感できていない、
Siデバイスは問題なく動作しているのにSiCデバイスに載せ替えたとたんに動作しなくなる、なぜかよく壊れる、
SiCは良い特性の強調ばかりされているが、注意すべき点についてもっと知りたい、
といった悩みをお持ちの方に向けて、SiCの応用上の考え方や使用方法を示します。
※本セミナーは2016年6月17日(金)に京都で開催したものとほぼ同一内容です。
内容 |
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休憩時間やセミナー終了後には、技術相談コーナーもご用意しておりますのでお気軽にご質問、ご相談ください。
セミナー開催のお知らせ
開催日時:2016年9月30日(金)13:00~16:45(受付12:30~)
開催場所:横浜市港区新横浜2-4-8 ローム新横浜駅前ビル
パワーデバイス活用セミナー
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