本セミナーでは、SiC/GaNパワートランジスタを用いた回路設計・実装において重要な「ノイズ対策」「熱対策」「基板設計」「シミュレーション」を軸に、3名の専門家がそれぞれの専門領域から全4セッションで体系的に解説します。
シミュレーションや実験・実例を交えながら、高耐圧・高速動作・小型化といった設計上の課題に対し、問題発生のメカニズムを基本から整理し、設計に活かせる具体的な対策と事前検証の考え方を持ち帰っていただける内容です。

開催概要

開催日時

2026年4月17日（金）
受付 12:30 ｜ セミナー 13:00–17:40 ｜ 懇親会 17:50–18:50（講師参加予定）

会場 ローム新横浜駅前ビル（新横浜駅すぐ／横浜市港北区新横浜2-4-8）［地図はこちら］
参加費 無料（事前登録制）
セッション構成 ノイズ・駆動／レイアウト・熱設計を横断解説
対象 ・電源／インバータ、産業用ロボット・機械の制御ユニットなどの設計・開発に携わる方
・データセンター／サーバ、PCや制御／計測機器などの開発・熱設計に携わる方、
 または関連テーマに関心のある方
共催 ローム株式会社／ZEPエンジニアリング株式会社

講師紹介

全4セッションを3名の専門家が解説

株式会社ディスクリテック 善養寺薫氏

株式会社ディスクリテック
善養寺薫

PROFILE

沼津工業高等専門学校 卒。FA機器／ハード・ディスク製造装置設計業務に従事し、その後ベンチャーにて半導体製造装置、医科学用電子顕微鏡、理化学機器などの回路設計開発に携わる。独立後、株式会社ディスクリテックを設立。

主な著書
Qorvo Japan有限会社 住谷善隆氏

Qorvo Japan有限会社
住谷善隆

PROFILE

Purdue University 大学院 卒。リニアテクノロジー株式会社（現アナログ・デバイセズ）にて車載関連製品の技術サポートに携わった後、Qorvo社にてSr. Biz Dev MgrとしてSiCやRFを用いた複合IC製品の企画開発に携わる。

主な著書
株式会社サーマルデザインラボ 国峯尚樹氏

株式会社サーマルデザインラボ
国峯尚樹

PROFILE

早稲田大学 理工学部 機械工学科 卒。電子機器の冷却方式開発・熱設計、熱解析ソフト開発に携わる。サーマル・デザインラボを設立後、上流設計から製品評価までの熱設計支援、プロセス改善コンサルティング、研修などを手がける。

主な著書

セミナープログラム

13:10
|
14:10

セッション1

SiC MOSFETで実現する ±1.5kV超高電圧スイッチング・アンプの設計技術
〜設計マージンと低発熱を両立する高耐圧・高信頼ドライブ回路〜

講義内容

±1kVを超える高圧バイポーラ・アンプは、理化学機器や産業用途で広く用いられてきましたが、多くはリニア方式で構成されてきました。
本セッションでは、SiC MOSFETを用いて最大約±1.5kVのバイポーラ・アンプをD級構成で実現する設計アプローチを紹介します。
高耐圧・高速動作という特性を活かし、絶縁ドライバと組み合わせることで500kHz超のスイッチングにも対応可能であることを示します。
Si MOSFETでは確保が難しかった設計マージンも、高耐圧性能によりスパイク電圧やキックバックに対して余裕を持たせることが可能です。低発熱化による小型化や密閉構造への展開可能性にも触れ、設計上の選択肢を整理します。

講師

株式会社ディスクリテック 善養寺薫 氏

株式会社ディスクリテック
善養寺薫 氏
14:20
|
15:20

セッション2

SiC/GaN FETの特性理解と回路設計の基礎
〜半導体内部構造に基づく損失低減/高速化/小型化の設計アプローチ〜

講義内容

SiC/GaN FETはQCDの改善が進んでいるものの、IGBTやSi MOSFETからの単純な置き換えでは十分な効果を引き出せないケースもあります。電気的特性を踏まえ、回路・実装・制御を一体で最適化する視点が不可欠です。
本セッションでは、デバイス種別や半導体構造、パッケージ構造がスイッチング挙動にどのような影響を与えるのかを整理します。
損失低減や高速化、小型化につなげるための設計アプローチを具体的に示し、さらに実際の採用事例を通して、回路レベルの改善が製品全体の性能や付加価値へどのように反映されるのかを考察します。

講師

Qorvo Japan有限会社 住谷善隆 氏

Qorvo Japan有限会社
住谷善隆 氏
15:30
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16:30

セッション3

SiC/GaN FETを用いたゲート駆動回路＆基板設計の要点
〜誤動作・トラブルの原因と対策から、シミュレーションによる事前検証まで〜

講義内容

高性能なSiC/GaN FETは、シュートスルーや電気的オーバーストレスが発生した場合、重大な破壊に至ることがあります。
外観上は問題がないように見えても内部が損傷している場合もあり、原因究明が難航するケースも少なくありません。
本セッションでは、FET選定、ゲート駆動回路、レイアウト設計の要点を整理し、安全に使いこなすための基本設計指針を解説します。
実際の誤動作・破壊事例をもとに、再現性のある対策の考え方を提示します。
加えて、シミュレーションを活用した事前検証の方法や、トラブル発生時の原因切り分け・究明の進め方についても取り上げます。

講師

Qorvo Japan有限会社 住谷善隆 氏

Qorvo Japan有限会社
住谷善隆 氏
16:40
|
17:40

セッション4

高速パワーデバイス時代の最新熱設計とシミュレーション活用術
〜設計初期段階での効率的放熱・冷却手法と計算・解析による検証〜

講義内容

パワーエレクトロニクス機器では高効率・高出力・小型化が常に求められ、SiC/GaNの普及により冷却手法も多様化しています。
ファンレス密閉構造における筐体放熱、基板配線放熱、空冷・水冷、さらにはヒートパイプやベーパー・チャンバーなど、用途に応じた冷却デバイスの選定が重要になります。
熱流体シミュレーションは有効な手段ですが、構造設計前の初期段階における冷却系の基本設計が成否を左右します。
本セッションでは、Excelシミュレータを活用した設計の流れと、各種冷却デバイスの使い方を具体的に解説します。

講師

株式会社サーマルデザインラボ 国峯尚樹 氏

株式会社サーマルデザインラボ
国峯尚樹 氏
17:50
|
18:50		 懇親会（講師も参加予定）
アルコールを含む軽食をご用意。ぜひ情報交換の場としてご参加ください。

補足事項等

  • ・応募者多数の場合は抽選となります。
  • ・お申込み完了（自動送信）メールは参加確定ではありません。参加確定のご連絡は別途お送りします。
  • ・参加確定後のキャンセル／代理参加は、事前にご連絡ください。
  • ・対面開催後、オンデマンド配信を予定しています（配信期間：1か月）
  • ・状況により、プログラム内容が変更となる場合があります。
  • ・感染症対策として座席間隔を確保します。マスク着用はお客様の判断にお任せします。

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